Накопители на базе памяти 3D XPoint будут в 1000 раз быстрее обычных SSD (ВИДЕО)

0 668
+1

Накопители на базе памяти 3D XPoint будут в 1000 раз быстрее обычных SSD (ВИДЕО)Думаете, что установленный на ваш компьютер твердотельный (SSD) накопитель очень быстрый? Тогда подумайте еще раз и поймите, насколько вы заблуждаетесь. Компании Intel и Micron совместными усилиями создали новый тип системы хранения данных, который в одну тысячу раз быстрее самой передовой памяти NAND Flash.
 

Новый тип памяти, получивший название 3D XPoint, показывает скорости чтения и записи в тысячу раз превышающие скорость обычной памяти NAND, а также обладает высокой степенью прочности и плотности. Новостное агентство CNET сообщает, что новая память в десять раз плотнее чипов NAND и позволяет на той же физической площади сохранять больше данных и при этом потребляет меньше питания. Кроме того, указывается, что новый тип памяти очень даже «доступен», хотя вопросы о возможной конечной цене продукта на базе такого типа памяти по-прежнему остаются открытыми.

Intel и Micron заявляют, что их новый тип памяти может использоваться как в качестве системной, так и в качестве энергозависимой памяти, то есть, другими словами, ее можно использовать в качестве замены как оперативной RAM-памяти, так и SSD. В настоящий момент компьютеры могут взаимодействовать с новым типом памяти через интерфейс PCI Express, однако Intel говорит, что такой тип подключения не сможет раскрыть весь потенциал скоростей новой памяти, поэтому для максимальной эффективности памяти XPoint придется разработать новую архитектуру материнской платы.

Накопители на базе памяти 3D XPoint будут в 1000 раз быстрее обычных SSD (ВИДЕО)

 

Новостное агентство CNET сообщает, что «хранение данных новым типом памяти происходит совершенно иным способом, по сравнению с NAND-чипами». Вместо более традиционного хранения ячейки памяти в транзисторе, в новой памяти происходит изменение самих ячеек. Транзисторы при этом не используются вовсе. Новая технология позволяет паковать компоненты памяти слоями, что дает возможность размещать ячейки памяти в 8-10 раз плотнее.

Каждая пластина новой памяти на картинке выше, например, имеет два слоя и поэтому может сохранять 128 ГБ информации. В будущем количество слоев планируют увеличить, что увеличит и максимальный доступный свободный объем.

В настоящий момент Intel и Micron думают, как сделать новую память доступной на рынке уже в следующем году. Переговоры с некоторыми производителями железа уже ведутся, кроме того, Intel и Micron сами разрабатывают продукцию на базе новой технологии.

 

 

 


Источник | Опубликовал: RD3AVG


и поделитесь с друзьями в соц сетях:


Добавить комментарий

Похожие новости